우리학회 국제 학술지 『TEEM』에 게재된 논문을 아래의 사유로 철회하오니,참고하여 주시기 바랍니다.
- 아 래 -
가. 논문 정보 : Transactions on Electrical and Electronic Materials, Vol. 25, No. 2, p.194-200, (2024)
나. 논문 제목 : Exploring High-Temperature Reliability of 4H-SiC MOSFETs: A Comparative Study of High-K Gate Dielectric Materials
다. 저자 : M. V. Ganeswara Rao 1(교신저자), N. Ramanjaneyulu 2, Sumalatha Madugula, N. P. Dharani 3, K. Rajesh Babu 4, Kallepelli Sagar 5
라. 소속 :
1 Shri Vishnu Engineering College for Women (India)
2 Rajeev Gandhi Memorial College of Engineering and Technology (India)
3 ErstWhile Sree Vidyanikethan Engineering College (India)
4 Koneru Lakshmaiah Education Foundation (India)
5 SR University (India)마. 철회 사유 : 다음의 논문과 데이터가 유사하여, 표절이 의심됨.
H. Bencherif, F. Pezzimenti, L. Dehimi et al., Analysis of 4H-SiC MOSFET with distinct high-k/4H-SiC interfaces under high temperature and carrier-trapping conditions. Appl. Phys. A 126 , 854 (2020). https://doi.org/10.1007/s00339-020-03850-6
바. 조치 사항
게재 논문의 연구 부정 행위로 판정되어, 해당 저자들의 TEEM 투고를 3년간 금지한다.
붙임 1_Retraction Note.
한국전기전자재료학회 영문지 편집위원장
